-
1 Emitter-Basis-Durchbruchspannung
Emitter-Basis-Durchbruchspannung f emitter-base breakdown voltageDeutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Emitter-Basis-Durchbruchspannung
-
2 Emitter-Basis-Spannung
Emitter-Basis-Spannung f emitter-base voltageDeutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Emitter-Basis-Spannung
-
3 Emitter-Basis-Spannung
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Spannung
-
4 Emitter-Basis-Durchbruchspannung
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruchspannung
-
5 Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
-
6 Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
-
7 Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
-
8 maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
UКЭ, max
UСEM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-emitter voltage
F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale
UКЭ, и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung
-
9 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UКЭнас
UСEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation collector-emitter voltage
F. Tension de saturation collecteur-émetteur
UКЭнас
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
-
10 Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
пробивное напряжение коллектор-эмиттер
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора.
Обозначение
UКЭпроб
Примечание
При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR проб, U(BR)CER ;
при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭK проб, U(BR)CES ;
при заданном обратном напряжении база-эмиттер, UКЭX проб, U(BR)CEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Breakdown collector-emitter voltage
F. Tension de claquage collecteur-émetteur
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
-
11 Basis-Emitter-Sättigungsspannung
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Basis-Emitter-Sättigungsspannung
-
12 Kollektor-Emitter-Spannung
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Kollektor-Emitter-Spannung
-
13 Kollektor-Emitter-Spannung bei offener Basis
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Kollektor-Emitter-Spannung bei offener Basis
-
14 Kollektor-Emitter-Spannung
f <el> (Transistor) ■ collector-emitter voltageGerman-english technical dictionary > Kollektor-Emitter-Spannung
-
15 maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung
- Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер
- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
UКЭ max
UСE max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-emitter (d.c.) voltage
DE
FR
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер
D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung
E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-émetteur maximale
UКЭ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung
-
16 maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
-
17 Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера.
Обозначение
UКЭ
UCE
Примечание
При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, UКЭО, UCEO;
при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR, UCER;
при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭК, UCES;
при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база, UКЭХ, UCEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-emitter (d.с.) voltage
DE
FR
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Collector-emitter (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-émetteur
U3КЭ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
-
18 Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
-
19 Kollektorbasis-Spannung bei offenem Emitter
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Kollektorbasis-Spannung bei offenem Emitter
-
20 Kollektor-Emitter-Dauerspannung
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Kollektor-Emitter-Dauerspannung
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Emitter-coupled logic — Motorola ECL 10,000 basic gate circuit diagram[1] In electronics, emitter coupled logic (ECL), is a logic family that achieves high speed by using an overdriven BJT differential amplifier with single ended input, whose emitter current is limited… … Wikipedia
Voltage regulator — A popular three pin 12 V DC voltage regulator IC. A voltage regulator is an electrical regulator designed to automatically maintain a constant voltage level. A voltage regulator may be a simple feed forward design or may include negative feedback … Wikipedia
Voltage-to-current converter — Introduction For a variety of reasons, in low voltage electronics, voltage is a more frequently used data carrier. Thus electronic devices tend to be labeled with voltage inputs and outputs. However some devices are labeled in terms of current… … Wikipedia
Voltage divider — In electronics, a voltage divider (also known as a potential divider) is a simple linear circuit that produces an output voltage ( V out) that is a fraction of its input voltage ( V in). Voltage division refers to the partitioning of a voltage… … Wikipedia
Voltage stabilizer — Unreferenced|date=July 2008A voltage stabilizer is an electronic device able to deliver relatively constant output voltage while input voltage and load current changes over time. The output voltage is usually regulated using a transistor. In a… … Wikipedia
Common emitter — Figure 1: Basic NPN common emitter circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common emitter amplifier is one of three basic single stage bipolar junction transistor (BJT) amplifier topologies, typically used as a voltage amplifier.… … Wikipedia
Current-to-voltage converter — In electronics, a transimpedance amplifier is an amplifier that converts current to voltage. Its input ideally has zero impedance, and the input signal is a current. Its output may have low impedance, or in high frequency applications, may be… … Wikipedia
Positive emitter-coupled logic — Positive emitter coupled logic, or PECL, is a further development of the emitter coupled logic (ECL) technology and requires a positive 5V supply instead of a negative 5V supply. The Low voltage positive emitter coupled logic (LVPECL) is an… … Wikipedia
Low-voltage positive emitter-coupled logic — Low voltage positive emitter coupled logic, or LVPECL, is a power optimized version of the Positive emitter coupled logic (PECL) technology, requiring a positive 3.3V instead of 5V supply. LVPECL is a differential signaling system and mainly used … Wikipedia
Surface-conduction electron-emitter display — A surface conduction electron emitter display (SED) is a flat panel display technology that uses surface conduction electron emitters for every individual display pixel. The surface conduction emitter emits electrons that excite a phosphor… … Wikipedia
Low-Voltage-TTL — Die Transistor Transistor Logik (TTL) ist eine Schaltungstechnik (Logikfamilie) für logische Schaltungen (Gatter), bei der als aktives Bauelement der Schaltung planare npn Bipolartransistoren verwendet werden. Hierbei wird meist ein Multiemitter… … Deutsch Wikipedia